고전력 시스템 소스미터 SMU계측기
고전류 모델 2651A는 다이오드, FETs, 그리고 IGBT 등과 같은 물질 뿐만 아니라 질화갈륨(gallium nitride), 탄화수소(silicon carbide), 그리고 다른 반도체 합성물질이나 디바이스 등과 같이 더 새로운 물질을 포함하여 반도체 디바이스 파워 테스팅과 같은 어플리케이션에 사용할 수 있습니다.
제품 주요 특징
- 동급 최고의 저전류 분해능에서 최대 3kV 또는 50A 펄스 소싱 및 측정
- 계측기당 최대 2000W 펄스 또는 200W DC 출력
- 고출력 반도체, 전자장치 및 소재의 특성화 및 테스트에 최적화
- TSP 및 TSP-Link 기술을 통해 메인프레임 기반 시스템의 채널 한계없이 SMU 핀 단위 패러럴(per-pin-parallel) 테스트 가능
- 듀얼 디지타이징 A/D 컨버터가 최대 1 µs/point로 샘플링하여 전류 및 전압 파형을 동시에 특성화
모델별 주요 스펙 비교
모델 |
출력특성 |
4분원 소스 또는
싱크 기능 |
분해능 |
적용분야 |
2651A |
최대 50A(또는 2개 장치에서 100A) 및 최대 2000W
펄스/200W DC 출력 |
최대 ±40V 및 ±50A |
100fA/1µs 분해능 |
고전류, 고출력 디바이스 테스트 |
2657A |
최대 3000V 및 최대 180W 출력 |
20mA에서 최대 3000V
또는 120mA에서 1500V |
1fA/100µV 분해능 |
고전압, 고출력, 저전류
디바이스 테스트 |
어플리케이션 분야
- 전력 반도체 디바이스의 특성화 및 테스팅
- 솔라 셀 특성화 및 테스팅
- SiC, GaN 등을 통해 고효율 디바이스 특성화
- 반도체 접합 온도 특성화
- 고속속도, 고정밀 디지타이징
- 전자기적 연구
- 고전류, 고전력 디바이스 테스팅
관련 자료