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Model 4200-SCS

반도체 파라미터 분석기

4200-SCS

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소재 및 장치의 전기적 특성 분석을 위한 종합적인 솔루션
키슬리 4200-SCS 파라미터 분석기는 재료, 반도체 장치 및 공정과정의 전기적 특성을 분석하는 포괄적인 모듈식의 장비입니다.
베이직 I-V 및 C-V 측정 스위프에서 초고속 펄스 I-V, 파형 캡처 및 순간적 I-V 측정까지, 4200-SCS 계측기는 엔지니어 및 연구원들이 필요로 하는 시스템 설계, 개발 및 생산을 위한 중요한 파라미터 분석을 제공합니다.

특징 장점
I-V 곡선 DC I-V 측정은 초기소자나 재료 테스트에 사용됩니다. 모델 4200-SCS 소스 미터 계측기 (SMU)는 소스 전류 및 소스 전압과 동시에 전류 및 전압 측정을 하는 정밀한 기계 입니다. 모델 4200-SCS는 광대역폭으로 sub-ρA 누설 전류 및 μΩ 저항을 포함한 I-V 측정을 가능하게 합니다.
C-V스위핑 커패시턴스-전압 (C-V) 테스트은 도핑 농도와 프로파일, 캐리어 수명, 산화물 두께, 인터페이스 트랩 농도 같은 다양한 반도체 파라메터를 결정하는데 널리 사용됩니다. 모델 4200-SCS는 다음의 3가지 C-V 방식을 제공합니다: 멀티 주파수 (1kHz – 10MHz), 초저주파수 (10mHz – 10Hz), 준정적 C-V.
펄스 I-V 펄스 I-V 테스트은 기기 특성화 과정에서 발생하는 기기의 자가 발열 방지 또는 전하 트랩 효과 최소화에 이상적입니다. DC 신호 대신에 좁은 펄스와 낮은 듀티 사이클 펄스를 사용함으로써 성능을 유지하면서 중요한 파라메터들을 추출할 수 있도록 합니다. 과도 I-V 측정을 사용하여 동적 특성을 연구하기 위해 시간 영역에서 초고속 전류 또는 전압 파형을 캡쳐할 수 있도록 합니다.
게이트 산화물 MOS 구조의 게이트 산화막 품질과 안정성을 유지하는 일은 반도체 팹에서 매우 중대한 업무입니다. C-V 측정은 게이트 산화막 품질을 상세히 연구하는데 일반적으로 사용됩니다. C-V 계측기 모델을 탑재한 모델 4200-SCS는 MOS 커패시터 측정의 테스트과 분석을 용이케 만들어 줍니다. 산화막 두께, 평탄대역 전압, 임계치 전압 등의 공통적인 측정 파라미터가 모델 4200-SCS에 포함됩니다.
신뢰성 스트레스 측정 테스트은 반도체 기기의 동작 수명과 고장 매커니즘을 평가하는데 일반적으로 사용됩니다. 공통 WLR 테스트은 HCI(Hot Carrier Injection), CHC(Channel Hot Carrier), NBTI(Negative Bias Temperature Instability), TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown) 등을 포함합니다. 이러한 데이터는 기기 설계를 평가하고 생산 공정을 감시하는데 사용됩니다.
비휘발성 메모리 초고속 I-V 모듈의 다중 펄스 파형 생성과 측정 기능을 통해 모델 4200-SCS는 첨단 비휘발성 메모리 기기에서 발생하는 도전거리들을 충족시키도록 특별히 설계되었습니다. 아래의 강력한 기능들은 거의 모든 NVM 셀 테스트 요구 사항을 충족시킬 수 있습니다.
나노스케일 나노기술 연구는 근본적으로 새로운 특성을 지닌 구조를 생성하기 위해 분자 레벨, 원자 대 원자 수준에서 이루어집니다. 현재 이루어지는 연구는 탄소 나노-튜브, 반도체 나노와이어, 분자 유기 전자공학, 단일 전자 기기를 활용합니다. 이러한 기기들은 기기의 물리적 크기로 인해 표준 테스트 기법으로는 테스트이 불가능 합니다. 모델 4200-SCS 파라메터 분석기는 테스트을 빠르고 신뢰성 있게 할 수 있는 포괄적인 애플리케이션 테스트 라이브러리를 제공합니다.
Optional Instrumentation:
  • Model 4225-PMU Ultra-Fast I-V Module
  • Model 4220-PGU Pulse Generator Unit (Voltage-Source only)
  • Model 4225-RPM Remote Amplifier/Switch
  • Model 4200-SMU Medium Power Source-Measure Unit
  • Model 4210-SMU High Power Source-Measure Unit for 4200-SCS
  • Model 4200-PA Remote PreAmp Option for 4200-SMU and 4210-SMU
  • Model 4210-CVU 1kHz - 10MHz Capacitance Voltage Measurement Unit
  • Model 4200-SCP2 Dual-Channel Oscilloscope Card
  • Model 4200-SCP2HR 200MS Dual-Channel Oscilloscope Card
4200-SCS
Ultra-Fast I-V Application Package:
  • Model 4225-PMU Ultra-Fast I-V Module
4200-SCS 주요특징
  • 하나의 분석기에 I-V, C-V, 펄스 기능 통합
  • 사용자의 테스트 요구 사항을 충족시키고 변화하는 솔루션의 사항에 유연한 대처가 가능
  • 테스트 설정과 데이터 캡처/분석이 용이한 직관적인 소프트웨어
  • 과도신호 파형 캡처와 펄스 I-V에 동기화되는 초고속 I-V 모듈
  • 450개 이상의 사용자 조정 애플리케이션 테스트 프로그램으로 복잡한 측정을 간편하게 수행
  • 프로브 및 온도 제어 드라이버
Model 4200-SCS의 주요기능
  • Intuitive, point-and-click Windows®-based environment
  • Unique Remote PreAmps extend the resolution of SMUs to 0.1fA
  • C-V instrument makes C-V measurements as easy as DC I-V
  • Pulse and pulse I-V capabilities for advanced semiconductor testing
  • Scope card provides integrated scope and pulse measure functionality
  • Self-contained PC provides fast test setup, powerful data analysis, graphing and printing, and on-board mass storage of test results
  • Unique browser-style Project Navigator organizes tests by device type, allows access to multiple tests, and provides test sequencing and looping control
  • Built-in stress/measure, looping, and data analysis for point-and-click reliability testing, including five JEDEC compliant sample tests
  • Integrated support for a variety of LCR meters, Keithley switch matrix configurations, and both Keithley Series 3400 and Agilent 81110 pulse generators
  • Includes software drivers for leading analytical probers
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  • Optoelectronic Devices
    • Semiconductor laser diode DC/CW characterization
    • DC/CW characterization of transceiver modules
    • PIN and APD characterization
  • Technology Development
    • Carbon nanotube characterization
    • Materials research
    • Electrochemistry
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